美國仙童SuperFET II MOSFET的優(yōu)點
SuperFET II MOSFET 的優(yōu)點
魯棒的體二極管為軟開關(guān)結(jié)構(gòu)帶來更高的系統(tǒng)可靠性
魯棒的體二極管讓橋結(jié)構(gòu)更加可靠與耐用
為軟開關(guān)結(jié)構(gòu)帶來更低的 Eoss 以減小損耗
輕載條件下效率更高、驅(qū)動和開關(guān)總體損耗更低
由于導(dǎo)通電阻 R DS(ON) 顯著降低，所以導(dǎo)通損耗也降低
集成柵極齊納二極管（部件號后綴中帶"Z"字）帶來內(nèi)建的靜電放電 (ESD) 保護(hù)。
集成柵極電阻以降低柵極振蕩和電磁干擾 (EMI) 噪聲
SuperFET? II MOSFET 的特性
同級*的魯棒的體二極管（SuperFET II 和 SuperFET II FRFET? MOSFET）
輸出電容的存儲電能更低（Eoss 更低）
顯著降低導(dǎo)通電阻 R DS(ON)
降低柵極電荷 (Qg) 性能
集成柵極電阻 (600V/650V SuperFET II MOSFET)
集成柵極齊納二極管 (800V SuperFET II MOSFET)
SuperFET? II MOSFET
Fairchild 的 SuperFET? II MOSFET 系列將超結(jié)技術(shù)推廣到了高電壓功率 MOSFET 產(chǎn)品組合中。 采用該技術(shù)之后，飛兆可為 AC-DC SMPS 應(yīng)用提供魯棒性卓爾不群的體二極管性能。 我們的解決方案運用一種*電荷平衡技術(shù)，幫助設(shè)計者實現(xiàn)突出的可靠性。 該系列具有優(yōu)異的效率和散熱特性，可適用于多種應(yīng)用之中；不僅如此，其豐富的封裝選項讓設(shè)計者擁有了巨大的靈活性，這一點在空間緊張的設(shè)計中尤為突出。
"仙童半導(dǎo)體"成立于1957年，但提到"仙童"，就不得不先提起另外的一段故事，那就是成就了"二十世紀(jì)zui偉大發(fā)明"的"晶體管之父" 的肖克利(W.Shockley)博士，1955年肖克利離開貝爾實驗室返回故鄉(xiāng)圣克拉拉，創(chuàng)建了"肖克利半導(dǎo)體實驗室"。不久，因仰慕"晶體管之父"的大名，無數(shù)的求職信像雪片般飛到肖克利辦公桌上。第二年，八位年輕的科學(xué)家從美國東部相繼來到硅谷，加盟肖克利實驗室。他們是:諾依斯(N. Noyce)、摩爾(R.Moore)、布蘭克(J.Blank)、克萊爾(E.Kliner)、赫爾尼(J.Hoerni)、拉斯特(J.Last)、羅伯茨(S.Boberts)和格里尼克(V.Grinich)。他們的年齡都在30歲以下，風(fēng)華正茂，學(xué)有所成，都正處在創(chuàng)造能力的。他們之中，有獲得過雙博士學(xué)位者，有來自大公司的工程師，有大學(xué)的研究員和教授，這也是當(dāng)年美國西部從來沒有過的英才大集合。29歲的諾依斯是八人之中的長者，也是"投奔"肖克利zui堅定的一位。當(dāng)他飛抵舊金山后所做的*件事，就是傾囊為自己購下一所住所，決定*性定居，根本就沒有考慮到工作環(huán)境、條件和待遇。其他七位青年，來硅谷的經(jīng)歷與諾依斯大抵相似。
可惜，肖克利是天才的科學(xué)家，卻缺乏經(jīng)營能力;他雄心勃勃，但對管理一竅不通。特曼曾評論說:"肖克利在才華橫溢的年輕人眼里是非常有吸引力的人物，但他們又很難跟他共事。"一年之中，實驗室沒有研制出任何象樣的產(chǎn)品。八位青年瞞著肖克利開始計劃出走。在諾依斯帶領(lǐng)下，他們向肖克利遞交了辭職書。肖克利怒不可遏地罵他們是"八叛逆"(The Traitorous Eight)。青年人面面相覷，但還是義無反顧離開了那個讓他們慕名而來，之后又相聚在一起的"伯樂"。不過，后來就連肖克利本人也改口把他們稱為"八個天才的叛逆"。在硅谷許多著作書刊中，"八叛逆"的照片與惠普的車庫照片屬于同一級別，具有同樣的歷史價值
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美國仙童SuperFET II MOSFET的優(yōu)點